트랜지스터

1. TR 선정 기준
실제 Vce, Ic, Pc보다 낮게 사용할 것
Vceo: Base 오픈 상태에서 Vce전압
Vces: Base 쇼트 상태에서 Vce전압
Ic: 최대 Collector 전류
Pc: 주위온도(Ta)=25℃에서 연속해서 소비시킬수 있는 최대 컬렉터(C) 손실(방열기 없음)
Tj: 사용가능한 접합부 온도
Tstg: 보관온도
hFE : 이미터(E) 접지에서의 직류에 대한 전류 증폭퓰(IC/IB)
hfe: 교류전류 증폭률
Vce(sat) : 포화전압
fT: 주파수를 높여가면 증폭 능력이 저하하는데, 베이스 전류와 컬렉터 전류가 같아지는 주파수
    직류 증폭을 할 수 없게 되는 주파수
Cob: 입력용량
Cib: 출력용량
NF: 노이즈특성(작을수록 좋음)

2. TR품명
미국식 : 2Nxxxx EBC위치가 많음
일본식 : 2SAxxx, 2SCxxx ECB위치가 많음

3. 형명 표시법
숫자 : 반도체의 접합면수
   0:광트랜지스터, 광다이오드 1:각종다이오드,정류기,
   2:트랜지스터, 전기장효과트랜지스터,사이리스터, 단접합트랜지스터, 3:전기장 효과 트랜지스터
S는 반도체 머리 문자
문자
   A:pnp형 고주파용, B:pnp형 저주파용, C:npn형의 고주파용, D:npn형 저주파용
   F:pnpn사이리스터, G:npnp사이리스터, H:단접합 트랜지스터, J:p채널 전기장 효과 트랜지스터
   K:n채널 전기장 효과 트랜지스터

4. 테스터기로 트랜지스터 극성 찾기
1) BASE 찾기
멀티테스터기 Range를 'R X 1 '에 두고 흑색 리드봉 와 적색 리드봉를 다음 순서로 측정하여
NPN 형과 PNP 형을 먼저 구분한다.
① 트랜지스터 다리 3개를 임의로 1,2,3 으로 정하고 1번 PIN 에 흑색 리드봉을 고정하고
적색 리드봉을 나머지 2번과 3번에 접촉하였을 때 테스터기의 지침이 중간정도 움직이는 핀이 있는가
a) 눈금이 한 개 PIN만 움직인다 = PNP형
b) 모든 PIN이 움직인다 = NPN형
② 하나도 안 움직일 경우, 흑색 리드봉을 2번PIN에 고정시킨 후 1번과 3번을 적색 리드봉으로 확인
a) 눈금이 한 개 PIN만 움직인다 = PNP 형
b) 모든 PIN이 움직인다 = NPN형
[참고] 트랜지스터의 극성 찾는 방법은 아날로그 멀티 테스터기를 이용하여야하고 흑색 리드봉은
ㅡ 단자에 연결되어 있어야 한다. (실제는 + 전압을 출력)

2) Emitter & Collector 찾기
① NPN 형
멀티테스터기를 'R X 10K' (10000R)에 두고 BASE 를 제외한 2개의 핀에 리드봉을 바꿔가며 확인.
a) 지침이 많이 움직일 때의 흑색 리드봉쪽의 접속 PIN = Collector
b) 적색 리드봉에 접속된 PIN : Emitter
② PNP 형
멀티테스터기를 'R X 10K' (10000R)에 두고 BASE 를 제외한 2개의 핀에 리드봉을 바꿔가며 확인.
1) 지침이 많이 움직일 때의 흑색 리드봉쪽의 접속 PIN = Emitter
2) 적색 리드봉에 접속된 PIN : Collector